Design von GaN Transistoren für leistungse...

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Beschreibung

GaN-basierte Transistoren werden seit einigen Jahren als vielversprechende Kandidaten für zukünftige leistungselektronische Anwendungen gehandelt. Bei der Entwicklung dieser Bauelemente sollen insbesondere deren Durchbruchfestigkeit, Stromtragfähigkeit und Schaltgeschwindigkeit erhöht werden. Parallel soll die Effizienz immer besser werden. Um dies zu erreichen, müssen sowohl die epitaxische Struktur als auch das Design der Transistorstruktur optimiert werden.
Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine umfassende systematische Studie der Designparameter eines AlGaN/GaN-HEMTs durchgeführt. Ziel dabei war es, ein Transistordesign zu entwickeln, das für leistungselektronische Anwendungen optimiert ist. Die entsprechenden Maßnahmen gliederten sich in zwei große Bereiche: ¿Design für hohe Spannung¿ und ¿Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit¿.
Im Rahmen von Voruntersuchungen wurden systematische Erkenntnisse, Optimierungsmaßnahmen und technologische Lösungen erarbeitet, die in ein neues Transistordesign einflossen. Ein entsprechend optimiertes Design für die angestrebte 65 m¿-Klasse wurde vorgeschlagen: 134 Finger à 1,6 mm Fingerlänge bei einer Gesamtgateweite Wg = 214,4 mm auf einer Fläche von 10,12 mm². Die optimierten Transistoren wurden am FBH mittels p-GaN-Gate Normally-off-Technologie hergestellt. Im on-state wurde gezeigt, dass die Ströme von Ids max ~ 111 A bei einem Ron von ~ 52 m¿ und erreicht werden. Im off-state erreichten die Leistungselektronik-Transistoren die Durchbruchspannung von 700 V bei einem off-state Leckstrom unter 100 ¿A. Die hier entwickelten Transistoren zeigten sowohl im on- als auch im off-state ein gutes Potential für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen bis 600 V.

Erscheinungsjahr:	2021
Fachbereich:	Nachrichtentechnik
Genre:	Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Taschenbuch
Seiten:	182
Reihe:	Innovationen mit Mikrowellen und Licht / Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik
Inhalt:	182 S. 97 farbige Illustr.
ISBN-13:	9783736974135
ISBN-10:	3736974132
Sprache:	Deutsch
Ausstattung / Beilage:	Paperback
Einband:	Kartoniert / Broschiert
Autor:	Zhytnytska, Rimma
Hersteller:	Cuvillier Jentzsch-Cuvillier, Annette Innovationen mit Mikrowellen und Licht / Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik
Maße:	210 x 148 x 11 mm
Von/Mit:	Rimma Zhytnytska
Erscheinungsdatum:	05.05.2021
Gewicht:	0,244 kg

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