Technologie hochintegrierter Schaltungen

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Beschreibung

Dieses Buch beschreibt kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zur Prozeßintegration für den 256-Mbit-Speicher. Es wendet sich damit an fortgeschrittene Studenten sowie Ingenieure und Naturwissenschaftler in Forschung, Entwicklung und Fertigung. Die gewaltigen Entwicklungen in der Prozeßtechnologie der letzten Jahre finden sich in dieser Neuauflage wieder: Planarisierungstechniken, neue Materialien wie Refraktärmetalle, modernste Prozeßarchitekturen für CMOS-, Bipolar-, BICMOS- und Smart-Power-Technologien. Hinzu kommen wesentlich verbesserte Einzelprozesse in Schichttechnik, Lithographie, Ätztechnik und Dotiertechnik mit selbstjustierenden Verfahren. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand.

Zusammenfassung

Kein anderes deutschsprachiges Buch beschreibt so kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zum 256-Mbit-Speicher. Die rasante Entwicklung der Prozeßtechnologie der letzten Jahre und Prognosen über das Jahr 2000 hinaus finden sich in dieser Neuauflage wieder. Der weltweite Aufschwung der Mikroelektronik bewirkt riesige Investitionen in die Chipfertigung, in Europa vor allem durch die Firma Siemens. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand.

Inhaltsverzeichnis

1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.2 Trockenätzen.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.3 Scheibenreinigung.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Prozeßintegration.- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse.- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen.- 8.4 Speicherzellen.- 8.5 Mehrlagenmetallisierung.- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse.- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.

Erscheinungsjahr:	1996
Fachbereich:	Nachrichtentechnik
Genre:	Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Buch
Seiten:	392
Reihe:	Halbleiter-Elektronik
Inhalt:	xx 366 S. 208 s/w Illustr.
ISBN-13:	9783540593577
ISBN-10:	3540593578
Sprache:	Deutsch
Ausstattung / Beilage:	HC runder Rücken kaschiert
Einband:	Gebunden
Autor:	Widmann, Dietrich Friedrich, Hans Mader, Hermann
Auflage:	2. Aufl. 1996
Hersteller:	Springer-Verlag GmbH Springer Berlin Heidelberg Halbleiter-Elektronik
Maße:	241 x 160 x 26 mm
Von/Mit:	Dietrich Widmann (u. a.)
Erscheinungsdatum:	03.05.1996
Gewicht:	0,752 kg

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