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Protonendotierung von Silizium
Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
Taschenbuch von Johannes G Laven
Sprache: Deutsch

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Beschreibung
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.
Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.
Über den Autor
Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.
Zusammenfassung

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Inhaltsverzeichnis
Einleitung¿.- Grundlagen der Protonendotierung.- Durchführung und Charakterisierungsmethoden.- Ladungsträgerpröle und Parameterabhängigkeiten.- Strahlungsinduzierte Störstellen.- Modellierung.- Zusammenfassung und Ausblick.- Anhang.
Details
Erscheinungsjahr: 2014
Fachbereich: Nachrichtentechnik
Genre: Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Seiten: 332
Inhalt: xvii
314 S.
77 s/w Illustr.
314 S. 77 Abb.
ISBN-13: 9783658073893
ISBN-10: 3658073896
Sprache: Deutsch
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Laven, Johannes G
Auflage: 2014
Hersteller: Springer Fachmedien Wiesbaden
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH
Maße: 210 x 148 x 19 mm
Von/Mit: Johannes G Laven
Erscheinungsdatum: 21.10.2014
Gewicht: 0,431 kg
Artikel-ID: 105044344
Über den Autor
Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.
Zusammenfassung

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Inhaltsverzeichnis
Einleitung¿.- Grundlagen der Protonendotierung.- Durchführung und Charakterisierungsmethoden.- Ladungsträgerpröle und Parameterabhängigkeiten.- Strahlungsinduzierte Störstellen.- Modellierung.- Zusammenfassung und Ausblick.- Anhang.
Details
Erscheinungsjahr: 2014
Fachbereich: Nachrichtentechnik
Genre: Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Seiten: 332
Inhalt: xvii
314 S.
77 s/w Illustr.
314 S. 77 Abb.
ISBN-13: 9783658073893
ISBN-10: 3658073896
Sprache: Deutsch
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Laven, Johannes G
Auflage: 2014
Hersteller: Springer Fachmedien Wiesbaden
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH
Maße: 210 x 148 x 19 mm
Von/Mit: Johannes G Laven
Erscheinungsdatum: 21.10.2014
Gewicht: 0,431 kg
Artikel-ID: 105044344
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