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Cover: 9783824420919 | Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen...
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Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
Taschenbuch von Frank Schröder-Oeynhausen
Sprache: Deutsch

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Beschreibung
Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen, das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit sehr geringen Konzentrationen quantitativ nachzuweisen.
Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen, das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit sehr geringen Konzentrationen quantitativ nachzuweisen.
Über den Autor
Dr. Frank Schröder-Oeynhausen studierte Physik an der Universität zu Köln und Betriebswirtschaft an der FernUniversität Hagen. Er ist Technologieberater beim VDI in Düsseldorf.
Zusammenfassung
Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung.- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern.- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern.- 1.3 Ziel der Arbeit.- 2 Materialkunde.- 2.1 Galliumarsenid (GaAs).- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern.- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden.- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS).- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS).- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF).- 3.4 Ellipsometrie.- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs.- 4.1 Herstellung von Standards.- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente.- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente.- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente.- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs.- 5.1 Oxidationsmechanismen.- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie.- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft.- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß.- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen.- 6 Zusammenfassende Diskussion.- 7 Literaturverzeichnis.
Details
Erscheinungsjahr: 1997
Fachbereich: Chemische Technik
Genre: Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Seiten: 144
Inhalt: 138 S.
51 s/w Illustr.
138 S. 51 Abb.
ISBN-13: 9783824420919
ISBN-10: 3824420910
Sprache: Deutsch
Herstellernummer: 85006433
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Schröder-Oeynhausen, Frank
Auflage: 1997
Hersteller: Deutscher Universit„tsverlag
Deutscher Universitätsverlag
Maße: 210 x 148 x 9 mm
Von/Mit: Frank Schröder-Oeynhausen
Erscheinungsdatum: 23.09.1997
Gewicht: 0,197 kg
preigu-id: 102519103
Über den Autor
Dr. Frank Schröder-Oeynhausen studierte Physik an der Universität zu Köln und Betriebswirtschaft an der FernUniversität Hagen. Er ist Technologieberater beim VDI in Düsseldorf.
Zusammenfassung
Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung.- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern.- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern.- 1.3 Ziel der Arbeit.- 2 Materialkunde.- 2.1 Galliumarsenid (GaAs).- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern.- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden.- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS).- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS).- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF).- 3.4 Ellipsometrie.- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs.- 4.1 Herstellung von Standards.- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente.- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente.- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente.- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs.- 5.1 Oxidationsmechanismen.- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie.- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft.- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß.- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen.- 6 Zusammenfassende Diskussion.- 7 Literaturverzeichnis.
Details
Erscheinungsjahr: 1997
Fachbereich: Chemische Technik
Genre: Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Seiten: 144
Inhalt: 138 S.
51 s/w Illustr.
138 S. 51 Abb.
ISBN-13: 9783824420919
ISBN-10: 3824420910
Sprache: Deutsch
Herstellernummer: 85006433
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Schröder-Oeynhausen, Frank
Auflage: 1997
Hersteller: Deutscher Universit„tsverlag
Deutscher Universitätsverlag
Maße: 210 x 148 x 9 mm
Von/Mit: Frank Schröder-Oeynhausen
Erscheinungsdatum: 23.09.1997
Gewicht: 0,197 kg
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