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Cover: 9789819782642 | Growth and Application of AlN Single Crystal | Ke Xu (u. a.) | Buch
Dekorationsartikel gehören nicht zum Leistungsumfang.
Growth and Application of AlN Single Crystal
Buch von Ke Xu (u. a.)
Sprache: Englisch

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Beschreibung
This book covers the rapidly developing field of AlN research and some of its technical applications. In this book, the development of aluminium nitride from single crystal growth to device applications is comprehensively presented. Single crystal AlN growth includes bulk single crystal growth, single crystal thick film growth and single crystal thin film growth involving physical vapor deposition technology, hydride vapor phase epitaxy and metal-organic chemical vapor deposition technology. In terms of devices, AlN basic UV LED and power electronics devices are discussed. This book can provide researchers, engineers and graduate students with a wealth of new discoveries, results, information and knowledge in the field of AlN single crystal materials.
This book covers the rapidly developing field of AlN research and some of its technical applications. In this book, the development of aluminium nitride from single crystal growth to device applications is comprehensively presented. Single crystal AlN growth includes bulk single crystal growth, single crystal thick film growth and single crystal thin film growth involving physical vapor deposition technology, hydride vapor phase epitaxy and metal-organic chemical vapor deposition technology. In terms of devices, AlN basic UV LED and power electronics devices are discussed. This book can provide researchers, engineers and graduate students with a wealth of new discoveries, results, information and knowledge in the field of AlN single crystal materials.
Inhaltsverzeichnis
Basic Properties of Ain Single Crystal.- Physical Basis for the Growth of Ain Single Crystal.- Defects in Ain Single Crystal.- Growth of Ain Bulk Crystal by Physical Vapor Transport.- Growth of Thick Ain Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy.- Growth of Thin Ain Layers by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.- Aluminium Nitride based Semiconductor Devices.
Details
Erscheinungsjahr: 2025
Fachbereich: Atomphysik & Kernphysik
Genre: Physik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Buch
Inhalt: x
177 S.
45 s/w Illustr.
122 farbige Illustr.
177 p. 167 illus.
122 illus. in color.
ISBN-13: 9789819782642
ISBN-10: 9819782643
Sprache: Englisch
Herstellernummer: 978-981-97-8264-2
Autor: Xu, Ke
Huang, Jun
Hersteller: Springer
Springer, Berlin
Xidian University Press
Springer Nature Singapore
Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, D-69121 Heidelberg, juergen.hartmann@springer.com
Abbildungen: X, 177 p. 167 illus., 122 illus. in color.
Maße: 163 x 14 x 239 mm
Von/Mit: Ke Xu (u. a.)
Erscheinungsdatum: 21.03.2025
Gewicht: 0,453 kg
Artikel-ID: 129969281
Inhaltsverzeichnis
Basic Properties of Ain Single Crystal.- Physical Basis for the Growth of Ain Single Crystal.- Defects in Ain Single Crystal.- Growth of Ain Bulk Crystal by Physical Vapor Transport.- Growth of Thick Ain Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy.- Growth of Thin Ain Layers by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.- Aluminium Nitride based Semiconductor Devices.
Details
Erscheinungsjahr: 2025
Fachbereich: Atomphysik & Kernphysik
Genre: Physik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Buch
Inhalt: x
177 S.
45 s/w Illustr.
122 farbige Illustr.
177 p. 167 illus.
122 illus. in color.
ISBN-13: 9789819782642
ISBN-10: 9819782643
Sprache: Englisch
Herstellernummer: 978-981-97-8264-2
Autor: Xu, Ke
Huang, Jun
Hersteller: Springer
Springer, Berlin
Xidian University Press
Springer Nature Singapore
Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, D-69121 Heidelberg, juergen.hartmann@springer.com
Abbildungen: X, 177 p. 167 illus., 122 illus. in color.
Maße: 163 x 14 x 239 mm
Von/Mit: Ke Xu (u. a.)
Erscheinungsdatum: 21.03.2025
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