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Cover: 9781108480024 | Fundamentals of Modern VLSI Devices | Tak H. Ning (u. a.) | Buch
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Fundamentals of Modern VLSI Devices
Buch von Tak H. Ning (u. a.)
Sprache: Englisch

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Beschreibung
A thoroughly updated third edition of this classic text, perfect for practical transistor design and in the classroom.
A thoroughly updated third edition of this classic text, perfect for practical transistor design and in the classroom.
Über den Autor
Yuan Taur is a Distinguished Professor of Electrical and Computer Engineering at the University of California, San Diego, having previously worked at IBM's T. J. Watson Research Center, New York. He is an IEEE Fellow.
Inhaltsverzeichnis
Prefaces; Physical constants and unit conversions; List of symbols; 1. Introduction; 2. Basic device physics; 3. p-n junctions and metal-silicon contacts; 4. MOS capacitors; 5. MOSFETs: long channel; 6. MOSFETs: short channel; 7. Silicon-on-insulator and double-gate MOSFETs; 8. CMOS performance factors; 9. Bipolar devices; 10. Bipolar device design; 11. Bipolar performance factors; 12. Memory devices; References; Index.
Details
Erscheinungsjahr: 2021
Fachbereich: Mechanik & Akustik
Genre: Physik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Buch
Seiten: 622
Inhalt: Gebunden
ISBN-13: 9781108480024
ISBN-10: 1108480020
Sprache: Englisch
Einband: Gebunden
Autor: Ning, Tak H.
Taur, Yuan
Hersteller: Cambridge University Press
Maße: 252 x 179 x 35 mm
Von/Mit: Tak H. Ning (u. a.)
Erscheinungsdatum: 02.12.2021
Gewicht: 1,307 kg
preigu-id: 120187953
Über den Autor
Yuan Taur is a Distinguished Professor of Electrical and Computer Engineering at the University of California, San Diego, having previously worked at IBM's T. J. Watson Research Center, New York. He is an IEEE Fellow.
Inhaltsverzeichnis
Prefaces; Physical constants and unit conversions; List of symbols; 1. Introduction; 2. Basic device physics; 3. p-n junctions and metal-silicon contacts; 4. MOS capacitors; 5. MOSFETs: long channel; 6. MOSFETs: short channel; 7. Silicon-on-insulator and double-gate MOSFETs; 8. CMOS performance factors; 9. Bipolar devices; 10. Bipolar device design; 11. Bipolar performance factors; 12. Memory devices; References; Index.
Details
Erscheinungsjahr: 2021
Fachbereich: Mechanik & Akustik
Genre: Physik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Buch
Seiten: 622
Inhalt: Gebunden
ISBN-13: 9781108480024
ISBN-10: 1108480020
Sprache: Englisch
Einband: Gebunden
Autor: Ning, Tak H.
Taur, Yuan
Hersteller: Cambridge University Press
Maße: 252 x 179 x 35 mm
Von/Mit: Tak H. Ning (u. a.)
Erscheinungsdatum: 02.12.2021
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