Bias Temperature Instability for Devices a... | preigu

Cover: 9781461479086 | Bias Temperature Instability for Devices and Circuits | Tibor Grasser

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Beschreibung

This book provides a single-source reference to one of the more challenging reliability issues plaguing modern semiconductor technologies, negative bias temperature instability. Readers will benefit from state-of-the art coverage of research in topics such as time dependent defect spectroscopy, anomalous defect behavior, stochastic modeling with additional metastable states, multiphonon theory, compact modeling with RC ladders and implications on device reliability and lifetime.

This book provides a single-source reference to one of the more challenging reliability issues plaguing modern semiconductor technologies, negative bias temperature instability. Readers will benefit from state-of-the art coverage of research in topics such as time dependent defect spectroscopy, anomalous defect behavior, stochastic modeling with additional metastable states, multiphonon theory, compact modeling with RC ladders and implications on device reliability and lifetime.

Zusammenfassung

Enables readers to understand and model negative bias temperature instability, with an emphasis on dynamics

Includes coverage of DC vs. AC stress, duty factor dependence and bias dependence

Explains time dependent defect spectroscopy, as a measurement method that operates on nanoscale MOSFETs

Introduces new defect model for metastable defect states, nonradiative multiphonon theory and stochastic behavior

Includes supplementary material: [...]

Inhaltsverzeichnis

Introduction.- Characterization, Experimental Challenges.- Advanced Characterization.- Characterization of Nanoscale Devices.- Statistical Properties/Variability.- Theoretical Understanding.- Possible Defects: Experimental.- Possible Defects: First Principles.- Modeling.- Technological Impact.- Silicon dioxides/SiON.- High-k oxides.- Alternative technologies.- Circuits.

Details

Erscheinungsjahr:	2013
Fachbereich:	Nachrichtentechnik
Genre:	Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Buch
Inhalt:	xi 810 S. 283 s/w Illustr. 318 farbige Illustr. 810 p. 601 illus. 318 illus. in color.
ISBN-13:	9781461479086
ISBN-10:	1461479088
Sprache:	Englisch
Ausstattung / Beilage:	HC runder Rücken kaschiert
Einband:	Gebunden
Autor:	Grasser, Tibor
Redaktion:	Grasser, Tibor
Herausgeber:	Tibor Grasser
Hersteller:	Springer New York Springer US, New York, N.Y.
Maße:	241 x 160 x 47 mm
Von/Mit:	Tibor Grasser
Erscheinungsdatum:	23.10.2013
Gewicht:	1,534 kg

Artikel-ID: 105903878

Zusammenfassung

Enables readers to understand and model negative bias temperature instability, with an emphasis on dynamics

Includes coverage of DC vs. AC stress, duty factor dependence and bias dependence

Explains time dependent defect spectroscopy, as a measurement method that operates on nanoscale MOSFETs

Introduces new defect model for metastable defect states, nonradiative multiphonon theory and stochastic behavior

Includes supplementary material: [...]

Inhaltsverzeichnis

Introduction.- Characterization, Experimental Challenges.- Advanced Characterization.- Characterization of Nanoscale Devices.- Statistical Properties/Variability.- Theoretical Understanding.- Possible Defects: Experimental.- Possible Defects: First Principles.- Modeling.- Technological Impact.- Silicon dioxides/SiON.- High-k oxides.- Alternative technologies.- Circuits.

Details

Erscheinungsjahr:	2013
Fachbereich:	Nachrichtentechnik
Genre:	Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Buch
Inhalt:	xi 810 S. 283 s/w Illustr. 318 farbige Illustr. 810 p. 601 illus. 318 illus. in color.
ISBN-13:	9781461479086
ISBN-10:	1461479088
Sprache:	Englisch
Ausstattung / Beilage:	HC runder Rücken kaschiert
Einband:	Gebunden
Autor:	Grasser, Tibor
Redaktion:	Grasser, Tibor
Herausgeber:	Tibor Grasser
Hersteller:	Springer New York Springer US, New York, N.Y.
Maße:	241 x 160 x 47 mm
Von/Mit:	Tibor Grasser
Erscheinungsdatum:	23.10.2013
Gewicht:	1,534 kg

Artikel-ID: 105903878

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