Alle Kategorien
Bücher
Bestseller Hardcover
Bestseller Taschenbuch
Bestseller Autor
Persönlichkeitsentwicklung
Mangas
Finanzbücher
Selbstfindung
Essen & Trinken
Englischsprachige Bücher
Märchen & Sagen
Krimis & Thriller
Neuerscheinungen
Ratgeber
Motivationsbücher
WAS IST WAS
Wieso? Weshalb? Warum?
BookTok
Schule & Lernen
Schulbücher bestellen
Berufsschulbücher
Neuerscheinungen
Kreativität & Do it yourself
Gesellschaftsspiele
Bestseller
Brettspiele
Geschicklichkeitsspiele
EXIT - Das Spiel
Neuerscheinungen
Kalender
Adventskalender
Notizkalender
Tageskalender
Wochenkalender
Monatskalender
Motivkalender
Hörbücher
Neuerscheinungen
Themenwelt
Puzzlespiele
Halloween
Adventskalender
Winterwonderland
Autor des Monats
Asterix
Valentinstag
Frühlingserwachen
Warrior Cats
Black Dagger
Fast & Furious
Robert Hunter
Midnight Breed
Harry Potter
David Hunter
Herr der Ringe
Ostern
Tonies
tiptoi
0,00 €*
Cover: 9783659662188 | Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride
Dekorationsartikel gehören nicht zum Leistungsumfang.
Ultra-fast Microwave Annealing of Silicon Carbide and Gallium Nitride
Taschenbuch von Siddarth Sundaresan (u. a.)
Sprache: Englisch

71,90 €*

inkl. MwSt.

Versandkostenfrei per Post / DHL

Aktuell nicht verfügbar

Kategorien:
Beschreibung
A novel solid-state microwave annealing technique is developed for post-implantation annealing of silicon carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), and for the controlled growth of SiC nanowires. This technique is capable of heating SiC samples to temperatures in excess of 2100 ºC, at ultra-fast temperature ramping rates > 600 ºC/s. For phosphorus and aluminum implanted SiC, sheet resistances as low as 14 ¿/sq¿ and 1.9 k¿/sq¿ and majority carrier mobilities as high as 100 cm2/Vs and 8.3 cm2/Vs, respectively, are obtained. For the Al+ -implanted SiC, hole mobilties as high as 8.3 cm2/Vs is obtained. These values constitute the best ever reported electrical characteristics for high-dose ion-implanted SiC. Microwave annealing of in-situ as well as ion-implantation acceptor doped GaN was performed in the temperature range of 1200 ºC ¿ 1600 ºC, for a duration of 5 s, using different protective caps (AlN, MgO, graphite). A patented, metal catalyst assisted sublimation sandwich method is invented for the growth of microwave-heating assisted cubic 3C-SiC nanowires.
A novel solid-state microwave annealing technique is developed for post-implantation annealing of silicon carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), and for the controlled growth of SiC nanowires. This technique is capable of heating SiC samples to temperatures in excess of 2100 ºC, at ultra-fast temperature ramping rates > 600 ºC/s. For phosphorus and aluminum implanted SiC, sheet resistances as low as 14 ¿/sq¿ and 1.9 k¿/sq¿ and majority carrier mobilities as high as 100 cm2/Vs and 8.3 cm2/Vs, respectively, are obtained. For the Al+ -implanted SiC, hole mobilties as high as 8.3 cm2/Vs is obtained. These values constitute the best ever reported electrical characteristics for high-dose ion-implanted SiC. Microwave annealing of in-situ as well as ion-implantation acceptor doped GaN was performed in the temperature range of 1200 ºC ¿ 1600 ºC, for a duration of 5 s, using different protective caps (AlN, MgO, graphite). A patented, metal catalyst assisted sublimation sandwich method is invented for the growth of microwave-heating assisted cubic 3C-SiC nanowires.
Über den Autor
Siddarth Sundaresan, PhD, is the Director of Technology at GeneSiC Semiconductor. He has published extensively on wide-bandgap materials, process and device technology. Dr. Sundaresan was the recipient of a 2011 R&D 100 Award for commercializing the world's first high-voltage silicon carbide Thyristors
Details
Erscheinungsjahr: 2015
Fachbereich: Nachrichtentechnik
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Inhalt: 196 S.
ISBN-13: 9783659662188
ISBN-10: 3659662186
Sprache: Englisch
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Sundaresan, Siddarth
V. Rao, Mulpuri
Hersteller: LAP LAMBERT Academic Publishing
Verantwortliche Person für die EU: LAP Lambert Academic Publishing, Brivibas Gatve 197, ?-1039 Riga, customerservice@vdm-vsg.de
Maße: 220 x 150 x 12 mm
Von/Mit: Siddarth Sundaresan (u. a.)
Erscheinungsdatum: 02.06.2015
Gewicht: 0,31 kg
Artikel-ID: 104570229
Über den Autor
Siddarth Sundaresan, PhD, is the Director of Technology at GeneSiC Semiconductor. He has published extensively on wide-bandgap materials, process and device technology. Dr. Sundaresan was the recipient of a 2011 R&D 100 Award for commercializing the world's first high-voltage silicon carbide Thyristors
Details
Erscheinungsjahr: 2015
Fachbereich: Nachrichtentechnik
Genre: Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik
Rubrik: Naturwissenschaften & Technik
Medium: Taschenbuch
Inhalt: 196 S.
ISBN-13: 9783659662188
ISBN-10: 3659662186
Sprache: Englisch
Ausstattung / Beilage: Paperback
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Sundaresan, Siddarth
V. Rao, Mulpuri
Hersteller: LAP LAMBERT Academic Publishing
Verantwortliche Person für die EU: LAP Lambert Academic Publishing, Brivibas Gatve 197, ?-1039 Riga, customerservice@vdm-vsg.de
Maße: 220 x 150 x 12 mm
Von/Mit: Siddarth Sundaresan (u. a.)
Erscheinungsdatum: 02.06.2015
Gewicht: 0,31 kg
Artikel-ID: 104570229
Sicherheitshinweis

Ähnliche Produkte

Ähnliche Produkte

Taschenbuch
Cover: 9781405181839 | Copernicus, Darwin, and Freud | Friedel Weinert | Taschenbuch | 320 S.
Copernicus, Darwin, and Freud
Revolutions in the History and Philosophy of Science
EAN: 9781405181839
Sprache: Englisch
Von/Mit: Friedel Weinert

33,90 €*

Aktuell nicht verfügbar

Taschenbuch
Cover: 9783540624158 | Koordinatenmeßtechnik für die Qualitätssicherung | Tilo Pfeifer | Buch
Koordinatenmeßtechnik für die Qualitätssicherung
Grundlagen - Technologien - Anwendungen - Erfahrungen
EAN: 9783540624158
Sprache: Deutsch
Von/Mit: Tilo Pfeifer

54,99 €*

Aktuell nicht verfügbar

Taschenbuch
Cover: 9783663033660 | Einführung in die moderne Chemie | Michael James Steuart Dewar | Buch
Einführung in die moderne Chemie
Lehrbuch für Naturwissenschaftler und Mediziner in den Anfangssemestern
EAN: 9783663033660
Sprache: Deutsch
Von/Mit: Michael James Steuart Dewar

54,99 €*

Aktuell nicht verfügbar

Buch
Cover: 9781461437307 | Precision Instrumentation Amplifiers and Read-Out Integrated Circuits
Precision Instrumentation Amplifiers and Read-Out Integrated Circuits
EAN: 9781461437307
Sprache: Englisch
Von/Mit: Rong Wu (u. a.)

149,79 €*

Aktuell nicht verfügbar

Buch
Cover: 9783749712977 | History of Mar Yahballaha and Rabban Sauma | Pier Giorgio Borbone
History of Mar Yahballaha and Rabban Sauma
Edited, translated, and annotated by Pier Giorgio Borbone
EAN: 9783749712977
Sprache: Englisch
Von/Mit: Pier Giorgio Borbone

33,00 €*

Aktuell nicht verfügbar

Taschenbuch
Cover: 9783658372934 | Die Wissenschaft des Subjekts | Raphael Beer | Taschenbuch | v | 2022
Die Wissenschaft des Subjekts
EAN: 9783658372934
Sprache: Deutsch
Von/Mit: Raphael Beer

59,99 €*

Aktuell nicht verfügbar

Taschenbuch
Cover: 9783031006449 | In-/Near-Memory Computing | Daichi Fujiki (u. a.) | Taschenbuch | xv
In-/Near-Memory Computing
EAN: 9783031006449
Sprache: Englisch
Von/Mit: Daichi Fujiki (u. a.)

69,54 €*

Aktuell nicht verfügbar

Buch
-23 %
Cover: 9783527351893 | Piezoelectric Materials | From Fundamentals to Emerging Applications
Piezoelectric Materials
From Fundamentals to Emerging Applications
EAN: 9783527351893
Sprache: Englisch
Von/Mit: Jiagang Wu

153,95 €* UVP 199,00 €

Lieferzeit 1-2 Werktage

Diese Website verwendet Cookies, um eine bestmögliche Erfahrung bieten zu können. Mehr Informationen ...