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Beschreibung
Power Electronic Semiconductor Switches is the successor to Professor Ramshaw's widely-used Power Electronics. The text has been completely re-written and expanded to focus on semiconductor switches, and to take into account advances in the field since the publication of Power Electronics and changes in electrical and electronic engineering syllabuses.
Power Electronic Semiconductor Switches is the successor to Professor Ramshaw's widely-used Power Electronics. The text has been completely re-written and expanded to focus on semiconductor switches, and to take into account advances in the field since the publication of Power Electronics and changes in electrical and electronic engineering syllabuses.
Inhaltsverzeichnis
1 Power Conditioning.- 2 Switches in Circuits.- 3 The Diode.- 4 The BJT Transistor.- 5 The Thyristor.- 6 The Mosfet.- 7 The IGBT.- 8 The Triac.- 9 The GTO.- 10 Other Switches and the MCT.- APPENDIX 1 Rectifier Diode Data Sheets.- APPENDIX 2 BJT Power Transistor Data Sheets.- APPENDIX 3 Power MOSFET Data Sheets.- APPENDIX 4 Thyristor Data Sheets.- APPENDIX 5 IGBT Data Sheets.- APPENDIX 6 Triac Data Sheets.- APPENDIX 7 GTO Data Sheets.- APPENDIX 8 MCT Data Sheets.- APPENDIX 9 Answers to Problems.- APPENDIX 10 List of Symbols.
Details
Erscheinungsjahr: | 1993 |
---|---|
Fachbereich: | Nachrichtentechnik |
Genre: | Technik |
Rubrik: | Naturwissenschaften & Technik |
Medium: | Taschenbuch |
Inhalt: |
xiv
458 S. 95 s/w Illustr. 458 p. 95 illus. |
ISBN-13: | 9780412288708 |
ISBN-10: | 0412288702 |
Sprache: | Englisch |
Ausstattung / Beilage: | Paperback |
Einband: | Kartoniert / Broschiert |
Autor: | Ramshaw, E. |
Auflage: | 2nd ed. |
Hersteller: |
Springer US
Springer US, New York, N.Y. |
Maße: | 235 x 155 x 26 mm |
Von/Mit: | E. Ramshaw |
Erscheinungsdatum: | 30.06.1993 |
Gewicht: | 0,715 kg |
Inhaltsverzeichnis
1 Power Conditioning.- 2 Switches in Circuits.- 3 The Diode.- 4 The BJT Transistor.- 5 The Thyristor.- 6 The Mosfet.- 7 The IGBT.- 8 The Triac.- 9 The GTO.- 10 Other Switches and the MCT.- APPENDIX 1 Rectifier Diode Data Sheets.- APPENDIX 2 BJT Power Transistor Data Sheets.- APPENDIX 3 Power MOSFET Data Sheets.- APPENDIX 4 Thyristor Data Sheets.- APPENDIX 5 IGBT Data Sheets.- APPENDIX 6 Triac Data Sheets.- APPENDIX 7 GTO Data Sheets.- APPENDIX 8 MCT Data Sheets.- APPENDIX 9 Answers to Problems.- APPENDIX 10 List of Symbols.
Details
Erscheinungsjahr: | 1993 |
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Fachbereich: | Nachrichtentechnik |
Genre: | Technik |
Rubrik: | Naturwissenschaften & Technik |
Medium: | Taschenbuch |
Inhalt: |
xiv
458 S. 95 s/w Illustr. 458 p. 95 illus. |
ISBN-13: | 9780412288708 |
ISBN-10: | 0412288702 |
Sprache: | Englisch |
Ausstattung / Beilage: | Paperback |
Einband: | Kartoniert / Broschiert |
Autor: | Ramshaw, E. |
Auflage: | 2nd ed. |
Hersteller: |
Springer US
Springer US, New York, N.Y. |
Maße: | 235 x 155 x 26 mm |
Von/Mit: | E. Ramshaw |
Erscheinungsdatum: | 30.06.1993 |
Gewicht: | 0,715 kg |
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