MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION | Buch | preigu

Cover: 9789812568625 | MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION | Narain Arora | Buch | Gebunden

Rückseite: 9789812568625 | MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION | Narain Arora | Buch | Gebunden

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Beschreibung

A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations. The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology.

A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations. The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology.

Details

Erscheinungsjahr:	2007
Fachbereich:	Nachrichtentechnik
Genre:	Importe , Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Buch
Inhalt:	Gebunden
ISBN-13:	9789812568625
ISBN-10:	981256862X
Sprache:	Englisch
Einband:	Gebunden
Autor:	Narain Arora
Redaktion:	Arora, Narain
Hersteller:	World Scientific
Verantwortliche Person für die EU:	Libri GmbH, Europaallee 1, D-36244 Bad Hersfeld, gpsr@libri.de
Maße:	235 x 157 x 38 mm
Von/Mit:	Narain Arora
Erscheinungsdatum:	14.02.2007
Gewicht:	1,055 kg

Artikel-ID: 102167055

Details

Erscheinungsjahr:	2007
Fachbereich:	Nachrichtentechnik
Genre:	Importe , Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Buch
Inhalt:	Gebunden
ISBN-13:	9789812568625
ISBN-10:	981256862X
Sprache:	Englisch
Einband:	Gebunden
Autor:	Narain Arora
Redaktion:	Arora, Narain
Hersteller:	World Scientific
Verantwortliche Person für die EU:	Libri GmbH, Europaallee 1, D-36244 Bad Hersfeld, gpsr@libri.de
Maße:	235 x 157 x 38 mm
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