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Beschreibung
1. Einleitung.- 2. Kristallqualität.- 2.1 Einkristallinität.- 2.2 Versetzungsdichte.- 2.3 Kristalldurchmesser.- 2.4 Verunreinigungen im Kristall.- 3. Beschreibung eines Kristallziehversuches.- 3.1 Vorbereitung.- 3.2 Durchführung.- 3.3 Versuchsende und Reparatur des Reaktors.- 4. Versuche zur Optimierung der Parameter.- 4.1 Aufbau der Apparatur.- 4.2 Bewegung des Keimhalters.- 4.3 Reproduzierbarkeit der Keimbewegung.- 4.4 Temperaturmessung und -regelung.- 4.5 Temperaturgradienten.- 4.6 Sichtverhältnisse.- 4.7 Ergebnisse.- 5. Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen.- 5.1 Untersuchungen zu Löcher-Lebensdauern und -diffusionslängen in GaAs-Epitaxieschichtén.- 5.2 Gegenüberstellung von Meßverfahren.- 5.3 Zusammenstellung der Ergebnisse.- 6. Zusammenfassung.- Abbildungen.- Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5.
1. Einleitung.- 2. Kristallqualität.- 2.1 Einkristallinität.- 2.2 Versetzungsdichte.- 2.3 Kristalldurchmesser.- 2.4 Verunreinigungen im Kristall.- 3. Beschreibung eines Kristallziehversuches.- 3.1 Vorbereitung.- 3.2 Durchführung.- 3.3 Versuchsende und Reparatur des Reaktors.- 4. Versuche zur Optimierung der Parameter.- 4.1 Aufbau der Apparatur.- 4.2 Bewegung des Keimhalters.- 4.3 Reproduzierbarkeit der Keimbewegung.- 4.4 Temperaturmessung und -regelung.- 4.5 Temperaturgradienten.- 4.6 Sichtverhältnisse.- 4.7 Ergebnisse.- 5. Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen.- 5.1 Untersuchungen zu Löcher-Lebensdauern und -diffusionslängen in GaAs-Epitaxieschichtén.- 5.2 Gegenüberstellung von Meßverfahren.- 5.3 Zusammenstellung der Ergebnisse.- 6. Zusammenfassung.- Abbildungen.- Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5.
Inhaltsverzeichnis
1. Einleitung.- 2. Kristallqualität.- 2.1 Einkristallinität.- 2.2 Versetzungsdichte.- 2.3 Kristalldurchmesser.- 2.4 Verunreinigungen im Kristall.- 3. Beschreibung eines Kristallziehversuches.- 3.1 Vorbereitung.- 3.2 Durchführung.- 3.3 Versuchsende und Reparatur des Reaktors.- 4. Versuche zur Optimierung der Parameter.- 4.1 Aufbau der Apparatur.- 4.2 Bewegung des Keimhalters.- 4.3 Reproduzierbarkeit der Keimbewegung.- 4.4 Temperaturmessung und -regelung.- 4.5 Temperaturgradienten.- 4.6 Sichtverhältnisse.- 4.7 Ergebnisse.- 5. Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen.- 5.1 Untersuchungen zu Löcher-Lebensdauern und -diffusionslängen in GaAs-Epitaxieschichtén.- 5.2 Gegenüberstellung von Meßverfahren.- 5.3 Zusammenstellung der Ergebnisse.- 6. Zusammenfassung.- Abbildungen.- Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5.
Details
Fachbereich: Allgemeines
Genre: Recht, Sozialwissenschaften, Wirtschaft
Rubrik: Sozialwissenschaften
Medium: Taschenbuch
Reihe: Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen
Inhalt: iv
88 S.
23 s/w Illustr.
88 S. 23 Abb.
ISBN-13: 9783531023823
ISBN-10: 3531023829
Sprache: Deutsch
Einband: Kartoniert / Broschiert
Autor: Beneking, Heinz
Hersteller: VS Verlag für Sozialwissenschaften
Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen
Verantwortliche Person für die EU: Springer VS in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com
Maße: 244 x 170 x 6 mm
Von/Mit: Heinz Beneking
Gewicht: 0,182 kg
Artikel-ID: 105724072

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