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Beschreibung
1 Einleitung.- 1.1 Halbleiterwerkstoffe.- 1.2 Halbleitereigenschaften.- 1.3 Halbleiterbauelemente.- 2 Halbleitermaterial.- 2.1 Bereitstellung des Rohmaterials.- 2.2 Kristallisation.- 2.3 Scheibenherstellung.- 3 Epitaxie.- 3.1 Gasphasenepitaxie.- 3.2 Molekularstrahlepitaxie.- 3.3 Flüssigphasenepitaxie.- 4 Dotierungsverfahren.- 4.1 Dotierstoffe.- 4.2 Dotierung während der Kristallzucht.- 4.3 Epitaktischer Schichtaufbau.- 4.4 Legierungstechnik.- 4.5 Diffusion.- 4.6 Ionenimplantation.- 5 Schichtherstellung.- 5.1 Dielektrika.- 5.2 Halbleiter.- 5.3 Metalle und Silizide.- 6 Strukturierung.- 6.1 Lithographie.- 6.2 Ätztechnik.- 6.3 Abhebetechnik.- 7 Aufbau- und Verbindungstechnik.- 7.1 Ohmsche Kontakte.- 7.2 Chipmontage.- 7.3 Kontaktierung.- 8 Halbleiterbauelemente.- 8.1 Dioden.- 8.2 Bipolartransistoren.- 8.3 Thyristoren.- 8.4 Feldeffekttransistoren.- 8.5 Optoelektronische Bauelemente.- 9 Integrierte Schaltungen.- 9.1 Isolationstechnik.- 9.2 Integrierte Bipolarschaltungen.- 9.3 Integrierte Schaltungen mit Feldeffekttransistoren.- Literatur.
1 Einleitung.- 1.1 Halbleiterwerkstoffe.- 1.2 Halbleitereigenschaften.- 1.3 Halbleiterbauelemente.- 2 Halbleitermaterial.- 2.1 Bereitstellung des Rohmaterials.- 2.2 Kristallisation.- 2.3 Scheibenherstellung.- 3 Epitaxie.- 3.1 Gasphasenepitaxie.- 3.2 Molekularstrahlepitaxie.- 3.3 Flüssigphasenepitaxie.- 4 Dotierungsverfahren.- 4.1 Dotierstoffe.- 4.2 Dotierung während der Kristallzucht.- 4.3 Epitaktischer Schichtaufbau.- 4.4 Legierungstechnik.- 4.5 Diffusion.- 4.6 Ionenimplantation.- 5 Schichtherstellung.- 5.1 Dielektrika.- 5.2 Halbleiter.- 5.3 Metalle und Silizide.- 6 Strukturierung.- 6.1 Lithographie.- 6.2 Ätztechnik.- 6.3 Abhebetechnik.- 7 Aufbau- und Verbindungstechnik.- 7.1 Ohmsche Kontakte.- 7.2 Chipmontage.- 7.3 Kontaktierung.- 8 Halbleiterbauelemente.- 8.1 Dioden.- 8.2 Bipolartransistoren.- 8.3 Thyristoren.- 8.4 Feldeffekttransistoren.- 8.5 Optoelektronische Bauelemente.- 9 Integrierte Schaltungen.- 9.1 Isolationstechnik.- 9.2 Integrierte Bipolarschaltungen.- 9.3 Integrierte Schaltungen mit Feldeffekttransistoren.- Literatur.
Über den Autor
Prof. Dr. phil. nat. Waldemar von Münch (em.), Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung.- 1.1 Halbleiterwerkstoffe.- 1.2 Halbleitereigenschaften.- 1.3 Halbleiterbauelemente.- 2 Halbleitermaterial.- 2.1 Bereitstellung des Rohmaterials.- 2.2 Kristallisation.- 2.3 Scheibenherstellung.- 3 Epitaxie.- 3.1 Gasphasenepitaxie.- 3.2 Molekularstrahlepitaxie.- 3.3 Flüssigphasenepitaxie.- 4 Dotierungsverfahren.- 4.1 Dotierstoffe.- 4.2 Dotierung während der Kristallzucht.- 4.3 Epitaktischer Schichtaufbau.- 4.4 Legierungstechnik.- 4.5 Diffusion.- 4.6 Ionenimplantation.- 5 Schichtherstellung.- 5.1 Dielektrika.- 5.2 Halbleiter.- 5.3 Metalle und Silizide.- 6 Strukturierung.- 6.1 Lithographie.- 6.2 Ätztechnik.- 6.3 Abhebetechnik.- 7 Aufbau- und Verbindungstechnik.- 7.1 Ohmsche Kontakte.- 7.2 Chipmontage.- 7.3 Kontaktierung.- 8 Halbleiterbauelemente.- 8.1 Dioden.- 8.2 Bipolartransistoren.- 8.3 Thyristoren.- 8.4 Feldeffekttransistoren.- 8.5 Optoelektronische Bauelemente.- 9 Integrierte Schaltungen.- 9.1 Isolationstechnik.- 9.2 Integrierte Bipolarschaltungen.- 9.3 Integrierte Schaltungen mit Feldeffekttransistoren.- Literatur.
Details
| Erscheinungsjahr: | 1993 |
|---|---|
| Fachbereich: | Nachrichtentechnik |
| Genre: | Mathematik, Medizin, Naturwissenschaften, Technik |
| Rubrik: | Naturwissenschaften & Technik |
| Medium: | Taschenbuch |
| Inhalt: |
vi
264 S. |
| ISBN-13: | 9783519061670 |
| ISBN-10: | 3519061678 |
| Sprache: | Deutsch |
| Einband: | Kartoniert / Broschiert |
| Autor: | Münch, Waldemar |
| Hersteller: | Vieweg+Teubner Verlag |
| Verantwortliche Person für die EU: | Springer Vieweg in Springer Science + Business Media, Abraham-Lincoln-Str. 46, D-65189 Wiesbaden, juergen.hartmann@springer.com |
| Maße: | 235 x 155 x 16 mm |
| Von/Mit: | Waldemar Münch |
| Erscheinungsdatum: | 01.01.1993 |
| Gewicht: | 0,423 kg |