H. Schrenk: Bipolare Transistoren

Cover: 9783642811890 | Bipolare Transistoren | H. Schrenk | Taschenbuch | Paperback | 244 S.

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Sprache: Deutsch

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Beschreibung

Elektroniker und Schaltungstechniker, die mit der Entwicklung von Transistorschaltungen befa13t sind, sehen sich auf der einen Seite mit den Datenblattangaben der Halbleiterhersteller, auf der anderen Seite mit den speziellen Anforderungen des Anwendungsfalles kon frontiert. Das komplexe Bauelement Transistor lii13t sich nur dann optimal einsetzen, wenn sein Verhalten iiber die zahlenmii13ig erfa- ten Eigenschaften hinaus unter allen moglichen Betriebsbedingungen bekannt ist. Dazu sind umfassende Kenntnisse iiber die physikalischen Zusammenhiinge zwischen den elektrischen Eigenschaften und dem Aufbau der verwendeten Transistoren erforderlich. Die Technik der bipolaren Transistoren hat sich in den letzten Jah ren stetig weiterentwickelt. Ziel des vorliegenden Bandes der Buch reihe "Halbleiter-Elektronik" ist es, den heute erreichten Stand, wie er in neueren Originalarbeiten und Firmenschriften dokumentiert ist, in iiberschaubarer Form zusammenzufassen. Die Eigenschaften rea ler Transistoren sind in hohem Ma13e von Sekundiireffekten und da mit von der speziellen Technologie abhiingig. Neben der klassischen Transistorphysik sind deshalb auch technische Aspekte beriicksich tigt. Die Erkliirungen stiitzen sich ohne theoretische Breite auf ein fache und einpriigsame Modellvorstellungen, kompliziertere Sach verhalte werden durch physikalische Interpretation soweit als mog lich anschaulich gemacht. Mathematische Formulierungen sind auf ein Minimum eingeschriinkt. Fragen der Schaltungstechnik werden nicht behandelt.

Inhaltsverzeichnis

Bezeichnungen und Symbole.- 1 Grundlagen.- 1.1 Funktionsweise.- 1.2 Großsignal verhalten und Kennlinien.- 1.3 Kleinsignalverhalten.- 2 Kenndaten.- 2.1 Stromverstärkung.- 2.2 Hochfrequenzverhalten.- 2.3 Schaltverhalten.- 2.4 Rauschen.- 3 Grenzdaten.- 3.1 Zuverlässigkeit und thermisches Verhalten.- 3.2 Sperrverhalten.- 3.3 Zweiter Durchbruch.- 3.4 Verschleißvorgänge.- 4 Technische Ausführungen.- 4.1 Niederfrequenz-Planartransistoren.- 4.2 Leistungstransistoren.- 4.3 Hochfrequenztransistoren.- 4.4 Anhang: Darlingtontransistoren.

Details

Erscheinungsjahr:	2013
Fachbereich:	Allgemeines
Genre:	Mathematik , Medizin , Naturwissenschaften , Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Taschenbuch
Reihe:	Halbleiter-Elektronik
Inhalt:	244 S.
ISBN-13:	9783642811890
ISBN-10:	3642811892
Sprache:	Deutsch
Ausstattung / Beilage:	Paperback
Einband:	Kartoniert / Broschiert
Autor:	Schrenk, H.
Auflage:	Softcover reprint of the original 1st ed. 1978
Hersteller:	Springer-Verlag GmbH Springer Berlin Heidelberg Halbleiter-Elektronik
Verantwortliche Person für die EU:	Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, D-69121 Heidelberg, juergen.hartmann@springer.com
Maße:	235 x 155 x 14 mm
Von/Mit:	H. Schrenk
Erscheinungsdatum:	20.11.2013
Gewicht:	0,382 kg

Artikel-ID: 105580087

Inhaltsverzeichnis

Details

Erscheinungsjahr:	2013
Fachbereich:	Allgemeines
Genre:	Mathematik , Medizin , Naturwissenschaften , Technik
Rubrik:	Naturwissenschaften & Technik
Medium:	Taschenbuch
Reihe:	Halbleiter-Elektronik
Inhalt:	244 S.
ISBN-13:	9783642811890
ISBN-10:	3642811892
Sprache:	Deutsch
Ausstattung / Beilage:	Paperback
Einband:	Kartoniert / Broschiert
Autor:	Schrenk, H.
Auflage:	Softcover reprint of the original 1st ed. 1978
Hersteller:	Springer-Verlag GmbH Springer Berlin Heidelberg Halbleiter-Elektronik
Verantwortliche Person für die EU:	Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, D-69121 Heidelberg, juergen.hartmann@springer.com
Maße:	235 x 155 x 14 mm
Von/Mit:	H. Schrenk
Erscheinungsdatum:	20.11.2013
Gewicht:	0,382 kg